GaN

提升GaN SG HEMT性能:英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200 V单通道门极驱动器系列产品

英飞凌科技股份公司依照其战略性设计GaN产品组合,不断加强全系统解决方案,推出EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V单通道门极驱动器IC系列产品。

纳微半导体成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心

下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快,驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到,并减少20%道路二氧化碳排放

Microchip持续扩大氮化镓(GaN)射频功率器件产品组合

全新单片微波集成电路(MMIC)和分立器件,可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

GaN快充市场赛道提速,SRII交付半导体晶圆设备助力中国产能扩充

随着苹果公司正式推出140W氮化镓(GaN)快充,以智能手机、笔记本电脑为代表的消费电子快充市场迎来了又一标杆性产品的重要拐点。近两年来,全球GaN充电器的出货量已经突破了数千万只。然而,这仅仅只是开端。

TI推出全新GaN技术,携手台达打造高效能服务器电源供应器

德州仪器(TI)(纳斯达克代码TXN)今宣布其氮化镓(GaN)技术和 C2000™ 实时微控制器(MCU),辅以台达(Delta Electronics)长期耕耘之电力电子核心技术,为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器(PSU)。

意法半导体单片 GaN 栅极驱动器加速工业和家庭自动化并提高灵活性和集成度

意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大,高低边输出信号传播延迟相同,都是45ns,能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。

ST 和Exagan开启GaN发展新篇章

氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,GaN的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,这就是说,与同尺寸的硅基器件相比,GaN器件可以处理更大的负载,能效更高,物料清单成本更低。

氮化镓(GaN):电源行业中无法抗拒的新技术

氮化镓(GaN)在电力电子行业风靡一时。这种宽禁带半导体能够实现非常高的效率和功率密度,该性能优势正迅速成为电源制造商保持竞争力和符合日益严格的能效标准的必要条件。

字节跳动开源最新 GAN 压缩算法 算力消耗只需原来的 1/46

字节跳动近期开源了一项代号为 OMGD 的压缩技术。这是字节自研的 GAN( 生成对抗网络)压缩算法,在保证生成效果不变的前提下,算力消耗最低可以减少到原来的 1/46, 相比之前业界的最佳压缩效果提升一倍多。据悉,这项技术的论文已入选国际计算机视觉会议 ICCV 2021。